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STANSON厂家ST25N10 TO-252 N100V 12A MOS 场效应管
品牌：STANSON/司坦森型号：ST25N10 TO-252类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：低频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：100V工作电流：12A最大允许功耗：40W用途：开关电源加工定制：非加工定制RDS(ON)：40mΩVGS：20VPACKAGE：TO-252描述st25n10是N沟道增强
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2019-12-15 |
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STANSON厂家ST3422A SOT-23 N60V 6A低压MOS场效应管
品牌：STANSON/司坦森型号：ST3422A SOT-23类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：低频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：60V工作电流：6A最大允许功耗：1.25W用途：开关电源加工定制：非加工定制RDS(ON)：28mΩVGS：20VPACKAGE：SOT-23描述ST3422A N沟道逻辑
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2019-12-10 |
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STANSON厂家售ST3400SRG SOT-23 N30V5.8A MOS场效应管
品牌：STANSON/司坦森型号：ST3400SRG SOT-23类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：低频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：30V工作电流：5.8A最大允许功耗：1.25W用途：开关电源加工定制：否RDS(ON)：25mΩVGS：20VPACKAGE：SOT-23描述st3400srg是N沟道增强型
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2019-12-10 |
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STANSON厂家ST36N10D TO-252 N100V 36A MOS场效应管
品牌：STANSON/司坦森型号：ST36N10D TO-252类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：低频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：100V工作电流：36A最大允许功耗：80W用途：开关电源加工定制：非加工定制RDS(ON)：40mΩVGS：20VPACKAGE：TO-252描述STN36N10D使用沟槽
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2019-12-03 |
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STANSON厂家ST3421SRG SOT-23 P60V 5A MOS管 场效应管
品牌：STANSON/司坦森型号：ST3421SRG SOT-23类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：P型沟道导电方式：增强型适合频率：低频封装外形：SMDSO/表面封装材质：P-FET硅P沟道工作电压：60V工作电流：5A最大允许功耗：1.25W用途：开关电源加工定制：非加工定制RDS(ON)：150mΩVGS：20VPACKAGE：SOT-23描述ST3421SRG是P沟
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2019-11-27 |
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STANSON厂家ST12N10 TO-252 N100V 12A MOS 场效应管
品牌：STANSON/司坦森型号：ST12N10 TO-252类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：低频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：100V工作电流：12A最大允许功耗：79W用途：开关电源加工定制：否RDS(ON)：170mΩVGS：20PACKAGE：TO-252描述st12n10d是N沟道增强型功率
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2019-11-13 |
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STANSON原厂销STN4260 SOP-8封装N60V 20A MOS管司坦森
品牌：STANSON/司坦森型号：STN4260类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：低频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：60V工作电流：18A最大允许功耗：3.1W用途：电源开关外形尺寸：5.8*4.8*1.45mm加工定制：加工定制RDS ON：30毫欧GFS：11.7SVGSS：20VCISS：2100
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2019-11-03 |
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台产STANSON ST18T20D TO-252 N200V 18A场效应管
品牌：STANSON/司坦森型号：ST18T20D TO-252类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：低频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：200V工作电流：18A最大允许功耗：80W用途：开关电源加工定制：非加工定制RDS(ON)：220mΩPACKAGE：TO-252描述stn18t20是N沟道增强型功
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2019-08-05 |
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